全球首个3nm工艺芯片横空出世

近日,在国际电路大会上,三星突然向全世界展示了自家的3nm制程工艺芯片,名为SRAM存储芯片,据悉这是全世界目前首个成型的3nm工艺芯片,大小已经缩小到了56平方毫米,容量则为32个GB。据悉,此前一直处于领先地位的台积电,今年陆续为各大厂商代工5nm工艺的顶级芯片,现在突然冲出来三星搅局,确实让资本市场突然激荡起来。

据悉,这次三星推出的3nm制程工艺芯片,也就是SRAM存储芯片,已经突破了传统的晶体管结构,用上了更先进的GAAFET技术,不仅性能迅速飙升,而且让功耗方面降到了一半。我们可以参考基于FINFET打造的未来台积电3nm工艺,三星的GAAFET会更有优势。但目前来说,三星的新工艺良品率并不高,量产商用还需要大量时间研究。

虽然三星抢先发布了3nm工艺芯片,但此前台积电也曾透露过自己的3nm工艺芯片,据悉台积电这款产品相比目前最新的5nm芯片,性能会提升11%,而功耗则会降低27%。对比来看,还是三星的数据比较抢眼。

不过回到今年的高端芯片来看,骁龙888就是采用的三星5nm制程工艺,但整体表现并没有十分抢眼的地方,反而还带来了一些诟病。但再看看搭载台积电5nm工艺的处理器,整体性能更加稳定、成熟,发布时间也更早。虽然,三星这次好像优势明显,但其实并不意味着三星就已经超越了台积电,毕竟一个是研发一个代工,这样的对比意义不大。不过就订单和发展前景来看,芯片代工领域,台积电目前仍然有巨大优势。

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